Внутренняя схема GB , Кол-во ключей в модуле 2 , Напряжение К-Э 1.2 кВ, Рабочий ток при 25°C 100 А, Технология кристалла IGBT4 - T4 , Примечания IGBT MODULE VCES 1700V 1000A , Корпус —, Максимальная рассеиваемая мощность 555 Вт
Данный товар получен от клиентов, которые купили его для целей производства, но он оказался не востребован. Возможно отсутствие ГТД и страны происхождения.