FF150R12KE3GHOSA1 / Infineon
Не поставляется
Добавить к сравнению
IGBT, MODULE, N-CH, 1.2KV, 225A
Внутренняя схема GB , Кол-во ключей в модуле 2 , Напряжение К-Э 1.2 кВ, Рабочий ток при 25°C 225 А, Технология кристалла Trench Field Stop , Примечания IGBT MODULE VCES 1200V 150A , Корпус —, Максимальная рассеиваемая мощность 780 Вт
Характеристики
-
Внутренняя схемаGB
-
Кол-во ключей в модуле2
-
Напряжение К-Э1.2 кВ
-
Рабочий ток при 25°C225 А
-
Технология кристаллаTrench Field Stop
-
ПримечанияIGBT MODULE VCES 1200V 150A
-
Корпус—
-
Максимальная рассеиваемая мощность780 Вт