FF225R12ME4BOSA1 / Infineon
Не поставляется
Добавить к сравнению
Силовой IGBT модуль, EconoDUAL3, полумост, технология IGBT4, встроенный NTC.
Технические характеристики:
- Напряжение К-Э: 1200 В;
- Номинальный ток при 25°C: 225 А;
- Напряжение насыщения К-Э при 25°C: 1.85 В;
- Технология: IGBT4;
- Конфигурация: полумост;
- Корпус: EconoDUAL3
Внутренняя схема GB , Кол-во ключей в модуле 2 , Напряжение К-Э 1.2 кВ, Рабочий ток при 25°C 320 А, Технология кристалла IGBT4 - E4 , Примечания IGBT MODULE VCES 1200V 225A , Корпус —, Максимальная рассеиваемая мощность 1.05 кВт
Характеристики
-
Внутренняя схемаGB
-
Кол-во ключей в модуле2
-
Напряжение К-Э1.2 кВ
-
Рабочий ток при 25°C320 А
-
Технология кристаллаIGBT4 - E4
-
ПримечанияIGBT MODULE VCES 1200V 225A
-
Корпус—
-
Максимальная рассеиваемая мощность1.05 кВт