FF400R12KE3 / Infineon
Не поставляется
Добавить к сравнению
IGBT - модуль, напряжение кэ: 1,2 кВ, напряжение насыщения кэ: 2,15 В, коллекторный ток: 580 А, ток утечки зэ: 400 нА, рассеивание мощности: 2 кВт
Внутренняя схема GB , Кол-во ключей в модуле 2 , Напряжение К-Э 1.2 кВ, Рабочий ток при 25°C 580 А, Технология кристалла Trench Field Stop , Примечания IGBT MODULE 1200V 400A , Корпус —, Максимальная рассеиваемая мощность 2 кВт
Предлагаем замену
Характеристики
-
Внутренняя схемаGB
-
Кол-во ключей в модуле2
-
Напряжение К-Э1.2 кВ
-
Рабочий ток при 25°C580 А
-
Технология кристаллаTrench Field Stop
-
ПримечанияIGBT MODULE 1200V 400A
-
Корпус—
-
Максимальная рассеиваемая мощность2 кВт