_500.jpeg "FF650R17IE4PBOSA1")
FF650R17IE4PBOSA1 / Infineon
Не поставляется
Добавить к сравнению
Силовой IGBT модуль, PrimePACK2, полумост, технология IGBT4.
Особенности:
- Напряжение изоляции 4 кВ AC 1 мин;
- Встроенный NTC темпераурный датчик;
- Соответствие RoHS;
- Предварительно нанесенный теплопроводящий материал TIM (Thermal Interface Material)
Технические характеристики:
- Напряжение К-Э: 1700 В;
- Номинальный ток при 25°C: 650 А;
- Напряжение насыщения К-Э при 25°C: 2,0 В;
- Технология: IGBT4;
- Конфигурация: полумост;
- Корпус: PrimePACK2
Внутренняя схема GB , Кол-во ключей в модуле 2 , Напряжение К-Э 1.7 кВ, Рабочий ток при 25°C 650 А, Технология кристалла Trench Field Stop , Примечания IGBT MODULE VCES 1700V 650A , Корпус —
Характеристики
-
Внутренняя схемаGB
-
Кол-во ключей в модуле2
-
Напряжение К-Э1.7 кВ
-
Рабочий ток при 25°C650 А
-
Технология кристаллаTrench Field Stop
-
ПримечанияIGBT MODULE VCES 1700V 650A
-
Корпус—