_500.jpeg "FF900R12IE4PBOSA1")
FF900R12IE4PBOSA1 / Infineon
Не поставляется
Добавить к сравнению
Силовой IGBT модуль, PrimePACK2, полумост, технология IGBT4.
Особенности:
- Напряжение изоляции 4 кВ AC 1 мин;
- Встроенный NTC темпераурный датчик;
- Соответствие RoHS;
- Предварительно нанесенный теплопроводящий материал TIM (Thermal Interface Material)
Технические характеристики:
- Напряжение К-Э: 1200 В;
- Номинальный ток при 25°C: 900 А;
- Напряжение насыщения К-Э при 25°C: 1,75 В;
- Технология: IGBT4;
- Конфигурация: полумост;
- Корпус: PrimePACK2
Внутренняя схема GB , Кол-во ключей в модуле 2 , Напряжение К-Э 1.2 кВ, Рабочий ток при 25°C 900 А, Технология кристалла IGBT4 - E4 , Примечания MODULE IGBT PRIME2-1 , Корпус —, Максимальная рассеиваемая мощность 20 Вт
Характеристики
-
Внутренняя схемаGB
-
Кол-во ключей в модуле2
-
Напряжение К-Э1.2 кВ
-
Рабочий ток при 25°C900 А
-
Технология кристаллаIGBT4 - E4
-
ПримечанияMODULE IGBT PRIME2-1
-
Корпус—
-
Максимальная рассеиваемая мощность20 Вт