Внутренняя схема GB , Кол-во ключей в модуле 2 , Напряжение К-Э 1.2 кВ, Рабочий ток при 25°C 900 А, Технология кристалла IGBT4 - E4 , Примечания IGBT MODULE VCES 1200V 900A , Корпус —, Максимальная рассеиваемая мощность 5.1 кВт
Данный товар получен от клиентов, которые купили его для целей производства, но он оказался не востребован. Возможно отсутствие ГТД и страны происхождения.