FP15R12W1T4BOMA1 / Infineon
Не поставляется
Добавить к сравнению
IGBT, MODULE, N-CH, 1.2KV, 28A
Внутренняя схема GDL, B6U , Кол-во ключей в модуле 7 , Напряжение К-Э 1.2 кВ, Рабочий ток при 25°C 28 А, Технология кристалла IGBT4 - T4 , Примечания IGBT MODULE VCES 600V 22A , Корпус —, Максимальная рассеиваемая мощность 130 Вт
Характеристики
-
Внутренняя схемаGDL, B6U
-
Кол-во ключей в модуле7
-
Напряжение К-Э1.2 кВ
-
Рабочий ток при 25°C28 А
-
Технология кристаллаIGBT4 - T4
-
ПримечанияIGBT MODULE VCES 600V 22A
-
Корпус—
-
Максимальная рассеиваемая мощность130 Вт