FP50R06W2E3 / Infineon
Не поставляется
Добавить к сравнению
Внутренняя схема GDL, B6U , Кол-во ключей в модуле 7 , Напряжение К-Э 600 В, Рабочий ток при 25°C 65 А, Технология кристалла Trench Field Stop , Примечания IGBT MODULE 600V 450A , Корпус —, Максимальная рассеиваемая мощность 175 Вт
Характеристики
-
Внутренняя схемаGDL, B6U
-
Кол-во ключей в модуле7
-
Напряжение К-Э600 В
-
Рабочий ток при 25°C65 А
-
Технология кристаллаTrench Field Stop
-
ПримечанияIGBT MODULE 600V 450A
-
Корпус—
-
Максимальная рассеиваемая мощность175 Вт