FS100R12KE3 / Infineon
Не поставляется
Добавить к сравнению
Внутренняя схема GD , Кол-во ключей в модуле 6 , Напряжение К-Э 1.2 кВ, Рабочий ток при 25°C 140 А, Технология кристалла NPT , Примечания IGBT MODULE 1200V 100A , Корпус —, Максимальная рассеиваемая мощность 480 Вт
Характеристики
-
Внутренняя схемаGD
-
Кол-во ключей в модуле6
-
Напряжение К-Э1.2 кВ
-
Рабочий ток при 25°C140 А
-
Технология кристаллаNPT
-
ПримечанияIGBT MODULE 1200V 100A
-
Корпус—
-
Максимальная рассеиваемая мощность480 Вт