IGBT-модуль с быстродействующими карбидокремниевыми диодами Шоттки. Модуль имеет топологию 3-фазного моста со связанной нейтралью и встроенным NTC-термодатчиком. Соединение с интерфейсной платой осуществляется методом прессовой посадки (Press-Fit), что обеспечивает надежный контакт во всем диапазоне рабочих температур благодаря эффекту «холодной сварки».

Технические характеристики и особенности:

• Топология: 3-уровневый 3-фазный мост;
• Встроенный  датчик температуры (NTC);
• Напряжение коллектор-эмиттер: 650 В;
• Ток коллектора: 30 А;
• Напряжение насыщения V_CE(sat): 1.5 В;
• Напряжение падения на диоде V_F: 1.6 В;
• Низкие потери при переключении;
• Высокоскоростные IGBT HighSpeed 3;
• Быстродействующие карбидокремниевые диоды Шоттки CoolSiC 650 В;
• Подложка из Al₂O₃ с низким температурным сопротивлением;
• Технология прессовой посадки PressFIT;
• Корпус: EasyPACK 2B;
• Размер: 56х48х12 мм