FS75R12KE3BOSA1 / Infineon
Не поставляется
Добавить к сравнению
Внутренняя схема GD , Кол-во ключей в модуле 6 , Напряжение К-Э 1.2 кВ, Рабочий ток при 25°C 105 А, Технология кристалла NPT , Примечания IGBT MODULE 1200V 75A , Корпус —, Максимальная рассеиваемая мощность 350 Вт
Предлагаем замену
Характеристики
-
Внутренняя схемаGD
-
Кол-во ключей в модуле6
-
Напряжение К-Э1.2 кВ
-
Рабочий ток при 25°C105 А
-
Технология кристаллаNPT
-
ПримечанияIGBT MODULE 1200V 75A
-
Корпус—
-
Максимальная рассеиваемая мощность350 Вт