ICE1QS01G / Infineon
Не поставляется
Добавить к сравнению
Корпус SOIC8 , Примечание PWM-QR (quasi resonant) control IC for SMPS , Напряжение питания, min 10.2 В, Напряжение питания, max 18 В, Гистерезис защиты по питанию, min 9.8 В, Гистерезис защиты по питанию, max 11.2 В, Тип преобразователя Half-Bridge , Максимальная частота преобразования 50 кГц, Выходной ток, max 500 мА, Максимальная скважность 50 %, Режим работы Resonant , Рабочая температура -25 °C, Рабочая температура 150 °C
Характеристики
-
КорпусSOIC8
-
ПримечаниеPWM-QR (quasi resonant) control IC for SMPS
-
Напряжение питания, min10.2 В
-
Напряжение питания, max18 В
-
Гистерезис защиты по питанию, min9.8 В
-
Гистерезис защиты по питанию, max11.2 В
-
Тип преобразователяHalf-Bridge
-
Максимальная частота преобразования50 кГц
-
Выходной ток, max500 мА
-
Максимальная скважность50 %
-
Режим работыResonant
-
Рабочая температура-25 °C
-
Рабочая температура150 °C