IDW10G65C5XKSA1 / Infineon
Не поставляется
Добавить к сравнению
SiC диод Шоттки
Прямой ток: 10 A
Повторяющееся обратное напряжение: 650 В
Прямое напряжение: 1,5 В
Ударный прямой ток: 58 A
Конфигурация: одиночная
Технология: SiC
Обратный ток: 0,5 мкA
Рабочая температура: - 55 ... + 175 C
Рассеивание мощности: 65 Вт
Корпус TO247 , Схема включения диодов одиночный , Максимальное обратное напряжение диода 650 В, Прямой ток диода (средний) 10 А, Прямое падение напряжения 1.5 В, Особенности SiC, Шоттки , Обратный ток диода 180 мкА, Емкость перехода 300 пФ, Рабочая температура -55 °C, Рабочая температура 175 °C, Монтаж на плату, THT
Предлагаем замену
Характеристики
-
КорпусTO247
-
Схема включения диодоводиночный
-
Максимальное обратное напряжение диода650 В
-
Прямой ток диода (средний)10 А
-
Прямое падение напряжения1.5 В
-
ОсобенностиSiC, Шоттки
-
Обратный ток диода180 мкА
-
Емкость перехода300 пФ
-
Рабочая температура-55 °C
-
Рабочая температура175 °C
-
Монтажна плату, THT