IDW40G65C5BXKSA2 / Infineon
Не поставляется
Добавить к сравнению
SiC диод Шоттки
Прямой ток: 40 A
Повторяющееся обратное напряжение: 650 В
Прямое напряжение: 1,5 В
Ударный прямой ток: 182 A
Конфигурация: одиночная
Технология: SiC
Обратный ток: 2,2 мкA
Рабочая температура: - 55 ... + 175 C
Рассеивание мощности: 183 Вт
Корпус TO247 , Схема включения диодов 2, общий катод , Максимальное обратное напряжение диода 650 В, Прямой ток диода (средний) 20 А, Прямое падение напряжения 1.7 В, Особенности SiC, Шоттки , Обратный ток диода 210 мкА, Емкость перехода 590 пФ, Рабочая температура -55 °C, Рабочая температура 175 °C, Монтаж на плату, THT
Предлагаем замену
Характеристики
-
КорпусTO247
-
Схема включения диодов2, общий катод
-
Максимальное обратное напряжение диода650 В
-
Прямой ток диода (средний)20 А
-
Прямое падение напряжения1.7 В
-
ОсобенностиSiC, Шоттки
-
Обратный ток диода210 мкА
-
Емкость перехода590 пФ
-
Рабочая температура-55 °C
-
Рабочая температура175 °C
-
Монтажна плату, THT