IKW75N60T / Infineon
Не поставляется
Добавить к сравнению
IGBT, N, 600V, 75A, TO-247; Transistor Type:IGBT; Transistor Polarity:N Channel; Voltage, Vces:600V; Current, Ic Continuous a Max:75A; Voltage, Vce Sat Max:2V; Power Dissipation:428W; Case Style:TO-247; Termination Type:Through Hole; Transistors, No. of:1; Voltage, Vceo:600V
Корпус TO247 , Напряжение К-Э максимальное 600 , Ток коллектора максимальный при 25°C 80 А, Время включения 69 нс, Время выключения 401 нс, Максимальная мощность 428 Вт, Тип входа стандартный , Примечание Insulated Gate Bipolar Transistor, 80A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-247AD
Характеристики
-
КорпусTO247
-
Напряжение К-Э максимальное600
-
Ток коллектора максимальный при 25°C80 А
-
Время включения69 нс
-
Время выключения401 нс
-
Максимальная мощность428 Вт
-
Тип входастандартный
-
ПримечаниеInsulated Gate Bipolar Transistor, 80A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-247AD