IPB016N06L3G / Infineon
Не поставляется
Добавить к сравнению
Корпус TO263 , Конфигурация и полярность N , Максимальное напряжение сток-исток 60 В, Ток стока номинальный при 25°C 180 А, Сопротивление открытого канала (мин) 1.6 мОм, Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), min 1.6 мОм, Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), max 1.6 мОм, Рассеиваемая мощность 250 Вт, Примечание Power Field-Effect Transistor, 180A I(D), 60V, 0.0016ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263
Характеристики
-
КорпусTO263
-
Конфигурация и полярностьN
-
Максимальное напряжение сток-исток60 В
-
Ток стока номинальный при 25°C180 А
-
Сопротивление открытого канала (мин)1.6 мОм
-
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), min1.6 мОм
-
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), max1.6 мОм
-
Рассеиваемая мощность250 Вт
-
ПримечаниеPower Field-Effect Transistor, 180A I(D), 60V, 0.0016ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263