IPB108N15N3G / Infineon
Не поставляется
Добавить к сравнению
Корпус —, Конфигурация и полярность N , Максимальное напряжение сток-исток 150 В, Ток стока номинальный при 25°C 83 А, Сопротивление открытого канала (мин) 10.8 мОм, Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), min 10.8 мОм, Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), max 10.8 мОм, Рассеиваемая мощность 214 Вт, Примечание Power Field-Effect Transistor, 83A I(D), 150V, 0.0108ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB
Предлагаем замену
Характеристики
-
Корпус—
-
Конфигурация и полярностьN
-
Максимальное напряжение сток-исток150 В
-
Ток стока номинальный при 25°C83 А
-
Сопротивление открытого канала (мин)10.8 мОм
-
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), min10.8 мОм
-
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), max10.8 мОм
-
Рассеиваемая мощность214 Вт
-
ПримечаниеPower Field-Effect Transistor, 83A I(D), 150V, 0.0108ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB