_500.jpeg "IPD95R2K0P7ATMA1")
IPD95R2K0P7ATMA1 / Infineon
Не поставляется
Добавить к сравнению
Транзистор MOSFET 950 В CoolMOS P7
Технические характеристики:
- Корпус: DPAK-3;
- Полярность транзистора: N;
- Напряжение пробоя сток-исток: 950 В;
- Номинальный ток: 4 А;
- Сопротивление открытого канала: 2 Ом;
- Пороговое напряжение затвор-исток: 3 В;
- Напряжение затвор-исток: 20 В;
- Заряд: 15 нК;
- Рабочая температура: -55 ... +150 °С;
- Рассеиваемая мощность: 37 Вт;
- Время спада: 18 нс;
- Время нарастания: 13 нс;
- Типичное время задержки выключения: 41 нс;
- Типичное время задержки включения: 6 нс
Корпус TO252 , Конфигурация и полярность N , Максимальное напряжение сток-исток 950 В, Ток стока номинальный при 25°C 4 А, Сопротивление открытого канала (мин) 2 Ом, Диапазон номинальных напряжений затвора, min 10 В, Диапазон номинальных напряжений затвора, max 10 В, Максимальное напряжение затвора 20 В, Рассеиваемая мощность 104 Вт, Ёмкость затвора 330 пФ, Особенности CoolMOS P7
Характеристики
-
КорпусTO252
-
Конфигурация и полярностьN
-
Максимальное напряжение сток-исток950 В
-
Ток стока номинальный при 25°C4 А
-
Сопротивление открытого канала (мин)2 Ом
-
Диапазон номинальных напряжений затвора, min10 В
-
Диапазон номинальных напряжений затвора, max10 В
-
Максимальное напряжение затвора20 В
-
Рассеиваемая мощность104 Вт
-
Ёмкость затвора330 пФ
-
ОсобенностиCoolMOS P7