IPN80R2K0P7ATMA1 / Infineon
Не поставляется
Добавить к сравнению
Транзистор N-MOSFET
- Технология: CoolMOS™ P7;
- Полярность: полевой;
- Напряжение сток-исток: 800В;
- Ток стока: 1.9А;
- Мощность: 6.4Вт;
- Корпус: PG-SOT223;
- Напряжение затвор-исток: ±20В;
- Сопротивление в открытом состоянии: 2000мОм;
- Монтаж: SMD;
- Заряд затвора: 9нC
Корпус SOT223 , Конфигурация и полярность N , Максимальное напряжение сток-исток 800 В, Ток стока номинальный при 25°C 3 А, Сопротивление открытого канала (мин) 1.7 Ом, Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), max 2 Ом, Диапазон номинальных напряжений затвора, min 10 В, Диапазон номинальных напряжений затвора, max 10 В, Максимальное напряжение затвора 20 В, Заряд затвора 9 нКл, Рассеиваемая мощность 6.4 Вт, Ёмкость затвора 175 пФ, Особенности CoolMOS P7
Характеристики
-
КорпусSOT223
-
Конфигурация и полярностьN
-
Максимальное напряжение сток-исток800 В
-
Ток стока номинальный при 25°C3 А
-
Сопротивление открытого канала (мин)1.7 Ом
-
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), max2 Ом
-
Диапазон номинальных напряжений затвора, min10 В
-
Диапазон номинальных напряжений затвора, max10 В
-
Максимальное напряжение затвора20 В
-
Заряд затвора9 нКл
-
Рассеиваемая мощность6.4 Вт
-
Ёмкость затвора175 пФ
-
ОсобенностиCoolMOS P7