IPN80R600P7ATMA1 / Infineon
Не поставляется
Добавить к сравнению
Транзистор N-MOSFET
- Технология: CoolMOS™ P7;
- Полярность: полевой;
- Напряжение: сток-исток 800В;
- Ток стока: 5.5А;
- Мощность: 7.4Вт;
- Корпус: PG-SOT223;
- Напряжение затвор-исток: ±20В;
- Сопротивление в открытом состоянии: 600мОм;
- Монтаж: SMD;
- Заряд затвора: 20нC
Корпус SOT223 , Конфигурация и полярность N , Максимальное напряжение сток-исток 800 В, Ток стока номинальный при 25°C 8 А, Сопротивление открытого канала (мин) 510 мОм, Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), max 600 мОм, Диапазон номинальных напряжений затвора, min 10 В, Диапазон номинальных напряжений затвора, max 10 В, Максимальное напряжение затвора 20 В, Заряд затвора 20 нКл, Рассеиваемая мощность 7.4 Вт, Ёмкость затвора 460 пФ, Особенности CoolMOS P7
Характеристики
-
КорпусSOT223
-
Конфигурация и полярностьN
-
Максимальное напряжение сток-исток800 В
-
Ток стока номинальный при 25°C8 А
-
Сопротивление открытого канала (мин)510 мОм
-
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), max600 мОм
-
Диапазон номинальных напряжений затвора, min10 В
-
Диапазон номинальных напряжений затвора, max10 В
-
Максимальное напряжение затвора20 В
-
Заряд затвора20 нКл
-
Рассеиваемая мощность7.4 Вт
-
Ёмкость затвора460 пФ
-
ОсобенностиCoolMOS P7