IPN95R1K2P7ATMA1 / Infineon
Не поставляется
Добавить к сравнению
Транзистор MOSFET 950 В CoolMOS P7.
Технические характеристики:
- Корпус: SOT-223-3;
- Полярность транзистора: N;
- Напряжение пробоя сток-исток: 950 В;
- Номинальный ток: 6 А;
- Сопротивление открытого канала: 1.2 Ом;
- Пороговое напряжение затвор-исток: 3 В;
- Напряжение затвор-исток: 20 В;
- Заряд: 15 нК;
- Рабочая температура: -55 ... +150 °С;
- Рассеиваемая мощность: 7 Вт;
- Время спада: 12 нс;
- Время нарастания: 10 нс;
- Типичное время задержки выключения: 36 нс;
- Типичное время задержки включения: 7 нс
Корпус SOT223 , Конфигурация и полярность N , Максимальное напряжение сток-исток 950 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 6 А, Сопротивление открытого канала (мин) 1.2 Ом, Диапазон номинальных напряжений затвора, min 10 В, Диапазон номинальных напряжений затвора, max 10 В, Максимальное напряжение затвора 20 В, Заряд затвора 1.5E-8 нКл, Рассеиваемая мощность 7 Вт, Ёмкость затвора 478 пФ, Особенности CoolMOS P7
Характеристики
-
КорпусSOT223
-
Конфигурация и полярностьN
-
Максимальное напряжение сток-исток950 В
-
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса6 А
-
Сопротивление открытого канала (мин)1.2 Ом
-
Диапазон номинальных напряжений затвора, min10 В
-
Диапазон номинальных напряжений затвора, max10 В
-
Максимальное напряжение затвора20 В
-
Заряд затвора1.5E-8 нКл
-
Рассеиваемая мощность7 Вт
-
Ёмкость затвора478 пФ
-
ОсобенностиCoolMOS P7