IPP037N08N3GXKSA1 / Infineon
Не поставляется
Добавить к сравнению
N-CH 80V 100A 3.5mOhm TO220-3
Корпус TO220 , Конфигурация и полярность N , Максимальное напряжение сток-исток 80 В, Ток стока номинальный при 25°C 100 А, Сопротивление открытого канала (мин) 3.75 мОм, Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), min 3.75 мОм, Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), max 3.75 мОм, Диапазон номинальных напряжений затвора, min 4.5 В, Диапазон номинальных напряжений затвора, max 10 В, Заряд затвора 88 нКл, Рассеиваемая мощность 214 Вт, Примечание Power Field-Effect Transistor, 100A I(D), 80V, 0.00375ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB , Особенности OptiMOS 3
Предлагаем замену
Характеристики
-
КорпусTO220
-
Конфигурация и полярностьN
-
Максимальное напряжение сток-исток80 В
-
Ток стока номинальный при 25°C100 А
-
Сопротивление открытого канала (мин)3.75 мОм
-
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), min3.75 мОм
-
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), max3.75 мОм
-
Диапазон номинальных напряжений затвора, min4.5 В
-
Диапазон номинальных напряжений затвора, max10 В
-
Заряд затвора88 нКл
-
Рассеиваемая мощность214 Вт
-
ПримечаниеPower Field-Effect Transistor, 100A I(D), 80V, 0.00375ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
-
ОсобенностиOptiMOS 3