IPP086N10N3G / Infineon
Не поставляется
Добавить к сравнению
Корпус —, Конфигурация и полярность N , Максимальное напряжение сток-исток 100 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 80 А, Сопротивление открытого канала (мин) 8.6 мОм, Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), min 8.6 мОм, Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), max 8.6 мОм, Рассеиваемая мощность 125 Вт, Примечание Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 100V, 0.0086ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
Предлагаем замену
Характеристики
-
Корпус—
-
Конфигурация и полярностьN
-
Максимальное напряжение сток-исток100 В
-
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса80 А
-
Сопротивление открытого канала (мин)8.6 мОм
-
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), min8.6 мОм
-
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), max8.6 мОм
-
Рассеиваемая мощность125 Вт
-
ПримечаниеPower Field-Effect Transistor, 80A I(D), 100V, 0.0086ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB