IPU80R900P7AKMA1 / Infineon
Не поставляется
Добавить к сравнению
Полевой транзистора N-МОП-транзистор CoolMOS P7
- Напряжение: 800 В;
- Монтаж: THT;
Корпус TO251 , Конфигурация и полярность N , Максимальное напряжение сток-исток 800 В, Ток стока номинальный при 25°C 6 А, Сопротивление открытого канала (мин) 770 мОм, Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), max 900 мОм, Диапазон номинальных напряжений затвора, min 10 В, Диапазон номинальных напряжений затвора, max 10 В, Максимальное напряжение затвора 20 В, Заряд затвора 15 нКл, Рассеиваемая мощность 45 Вт, Примечание Cool MOS™ P7 Power Transistor , Ёмкость затвора 350 пФ, Особенности CoolMOS P7
Характеристики
-
КорпусTO251
-
Конфигурация и полярностьN
-
Максимальное напряжение сток-исток800 В
-
Ток стока номинальный при 25°C6 А
-
Сопротивление открытого канала (мин)770 мОм
-
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), max900 мОм
-
Диапазон номинальных напряжений затвора, min10 В
-
Диапазон номинальных напряжений затвора, max10 В
-
Максимальное напряжение затвора20 В
-
Заряд затвора15 нКл
-
Рассеиваемая мощность45 Вт
-
ПримечаниеCool MOS™ P7 Power Transistor
-
Ёмкость затвора350 пФ
-
ОсобенностиCoolMOS P7