IR2011PBF / Infineon
Не поставляется
Добавить к сравнению
Корпус DIP8 , Кол-во нижних каналов 1 , Кол-во верхних каналов 1 , Максимальное напряжение смещения 200 В, Максимальный выходной ток нарастания 1 А, Максимальный выходной ток спада 1 А, Опции Half Bridge Based MOSFET Driver, 1A, CMOS, PDIP8 , Рабочая температура -40 °C, Рабочая температура 150 °C, Примечание UVLO
Предлагаем замену
Характеристики
-
КорпусDIP8
-
Кол-во нижних каналов1
-
Кол-во верхних каналов1
-
Максимальное напряжение смещения200 В
-
Максимальный выходной ток нарастания1 А
-
Максимальный выходной ток спада1 А
-
ОпцииHalf Bridge Based MOSFET Driver, 1A, CMOS, PDIP8
-
Рабочая температура-40 °C
-
Рабочая температура150 °C
-
ПримечаниеUVLO