IR25606STRPBF / Infineon
Не поставляется
Добавить к сравнению
SOIC 8/High voltage, high speed power MOSFET and IGBT driver with independe
Корпус SOIC8 , Кол-во нижних каналов 1 , Кол-во верхних каналов 1 , Максимальное напряжение смещения 600 В, Максимальный выходной ток нарастания 200 мА, Максимальный выходной ток спада 350 мА, Опции Half Bridge Based Peripheral Driver, CMOS, PDSO8 , Рабочая температура -40 °C, Рабочая температура 150 °C, Примечание High voltage, high speed power MOSFET and IGBT driver with independent high and low side referenced output channels. Half-Bridge Driver.
Характеристики
-
КорпусSOIC8
-
Кол-во нижних каналов1
-
Кол-во верхних каналов1
-
Максимальное напряжение смещения600 В
-
Максимальный выходной ток нарастания200 мА
-
Максимальный выходной ток спада350 мА
-
ОпцииHalf Bridge Based Peripheral Driver, CMOS, PDSO8
-
Рабочая температура-40 °C
-
Рабочая температура150 °C
-
ПримечаниеHigh voltage, high speed power MOSFET and IGBT driver with independent high and low side referenced output channels. Half-Bridge Driver.