IRF1010NSPBF / Infineon
Не поставляется
Добавить к сравнению
MOSFET, N, 55V, 84A, D2-PAK
Transistor Type MOSFET
Transistor Polarity N
Voltage, Vds Typ 55V
Current, Id Cont 84A
Resistance, Rds On 0.011ohm
Voltage, Vgs Rds on Measurement 10V
Voltage, Vgs th Typ 4V
Case Style D2-PAK
Termination Type SMD
Alternate Case Style D2-PAK
Current, Idm Pulse 290A
Power Dissipation 170W
Power Dissipation, on 1 Sq. PCB 3.8W
Power, Pd 170W
Temperature, Current 25°C
Temperature, Full Power Rating 25°C
Thermal Resistance, Junction to Case A 40°C/W
Voltage, Vds 55V
Voltage, Vds Max 55V
Voltage, Vgs th Max 4V
Корпус TO263 , Конфигурация и полярность N , Максимальное напряжение сток-исток 55 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 85 А, Сопротивление открытого канала (мин) 11 мОм, Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), min 11 мОм, Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), max 11 мОм, Диапазон номинальных напряжений затвора, min 10 В, Диапазон номинальных напряжений затвора, max 10 В, Заряд затвора 120 нКл, Рассеиваемая мощность 180 Вт, Примечание 55V N-ch MOSFET 85A in D2-PAK , Ёмкость затвора 3 210 пФ
Предлагаем замену
Характеристики
-
КорпусTO263
-
Конфигурация и полярностьN
-
Максимальное напряжение сток-исток55 В
-
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса85 А
-
Сопротивление открытого канала (мин)11 мОм
-
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), min11 мОм
-
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), max11 мОм
-
Диапазон номинальных напряжений затвора, min10 В
-
Диапазон номинальных напряжений затвора, max10 В
-
Заряд затвора120 нКл
-
Рассеиваемая мощность180 Вт
-
Примечание55V N-ch MOSFET 85A in D2-PAK
-
Ёмкость затвора3 210 пФ