IRF2807ZPBF / Infineon
Не поставляется
Добавить к сравнению
MOSFET, N, 75V, 89A, TO-220
Transistor Type MOSFET
Transistor Polarity N
Voltage, Vds Typ 75V
Current, Id Cont 89A
Resistance, Rds On 0.0094ohm
Voltage, Vgs Rds on Measurement 10V
Voltage, Vgs th Typ 4V
Case Style TO-220AB
Termination Type Through Hole
Current, Idm Pulse 350A
Power Dissipation 170W
Power, Pd 170W
Resistance, Rds on @ Vgs = 10V 9.4ohm
Thermal Resistance, Junction to Case A 0.9°C/W
Voltage, Vds Max 75V
Корпус TO220AB , Конфигурация и полярность N , Максимальное напряжение сток-исток 75 В, Ток стока номинальный при 25°C 75 А, Сопротивление открытого канала (мин) 9.4 мОм, Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), min 9.4 мОм, Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), max 9.4 мОм, Диапазон номинальных напряжений затвора, min 10 В, Диапазон номинальных напряжений затвора, max 10 В, Максимальное напряжение затвора 20 В, Заряд затвора 110 нКл, Рассеиваемая мощность 170 Вт, Примечание HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel , Ёмкость затвора 3 270 пФ
Предлагаем замену
Характеристики
-
КорпусTO220AB
-
Конфигурация и полярностьN
-
Максимальное напряжение сток-исток75 В
-
Ток стока номинальный при 25°C75 А
-
Сопротивление открытого канала (мин)9.4 мОм
-
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), min9.4 мОм
-
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), max9.4 мОм
-
Диапазон номинальных напряжений затвора, min10 В
-
Диапазон номинальных напряжений затвора, max10 В
-
Максимальное напряжение затвора20 В
-
Заряд затвора110 нКл
-
Рассеиваемая мощность170 Вт
-
ПримечаниеHEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel
-
Ёмкость затвора3 270 пФ