IRF3710SPBF / Infineon
Не поставляется
Добавить к сравнению
MOSFET, N, 100V, 57A, D2-PAK
Transistor Type MOSFET
Transistor Polarity N
Voltage, Vds Typ 100V
Current, Id Cont 46A
Resistance, Rds On 0.028ohm
Voltage, Vgs Rds on Measurement 10V
Voltage, Vgs th Typ 4V
Case Style D2-PAK
Termination Type SMD
Alternate Case Style D2-PAK
Current, Idm Pulse 180A
External Depth 15.49mm
External Length / Height 4.69mm
Power Dissipation 150W
Power Dissipation, on 1 Sq. PCB 3.7W
Power, Pd 150W
SMD Marking IRF3601S
Temperature, Current 25°C
Temperature, Full Power Rating 25°C
Thermal Resistance, Junction to Case A 0.75°C/W
Transistors, No. of 1
Voltage, Vds 100V
Voltage, Vds Max 100V
Voltage, Vgs th Max 4V
Width, External 10.54mm
Корпус D2PAK , Конфигурация и полярность N , Максимальное напряжение сток-исток 100 В, Ток стока номинальный при 25°C 57 А, Сопротивление открытого канала (мин) 23 мОм, Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), min 23 мОм, Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), max 23 мОм, Диапазон номинальных напряжений затвора, min 10 В, Диапазон номинальных напряжений затвора, max 10 В, Максимальное напряжение затвора 20 В, Заряд затвора 130 нКл, Рассеиваемая мощность 200 Вт, Примечание 100V N-ch MOSFET 57A in D2-PAK , Ёмкость затвора 3 130 пФ
Предлагаем замену
_500.jpeg)
Характеристики
-
КорпусD2PAK
-
Конфигурация и полярностьN
-
Максимальное напряжение сток-исток100 В
-
Ток стока номинальный при 25°C57 А
-
Сопротивление открытого канала (мин)23 мОм
-
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), min23 мОм
-
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), max23 мОм
-
Диапазон номинальных напряжений затвора, min10 В
-
Диапазон номинальных напряжений затвора, max10 В
-
Максимальное напряжение затвора20 В
-
Заряд затвора130 нКл
-
Рассеиваемая мощность200 Вт
-
Примечание100V N-ch MOSFET 57A in D2-PAK
-
Ёмкость затвора3 130 пФ