IRF5210 / Infineon
Не поставляется
Добавить к сравнению
MOSFET, P TO-220
Transistor Type MOSFET
Transistor Polarity P
Current, Id Cont 40A
Resistance, Rds On 0.06ohm
Case Style TO-220AB
Current, Idm Pulse 140A
Lead Spacing 2.54mm
No. of Pins 3
Pin Configuration a
Pin Format 1 g
2 d/tab
3 s
Power Dissipation 200W
Power, Pd 200W
Temperature, Current 25°C
Temperature, Full Power Rating 25°C
Transistors, No. of 1
Voltage, Vds Max 100V
Корпус TO220 , Конфигурация и полярность P , Максимальное напряжение сток-исток -100 В, Ток стока номинальный при 25°C 40 А, Сопротивление открытого канала (мин) 60 мОм, Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), min 60 мОм, Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), max 60 мОм, Диапазон номинальных напряжений затвора, min 10 В, Диапазон номинальных напряжений затвора, max 10 В, Максимальное напряжение затвора 20 В, Заряд затвора 120 нКл, Рассеиваемая мощность 200 Вт, Примечание HEXFET Power MOSFETs Discrete P-Channel
Предлагаем замену
Характеристики
-
КорпусTO220
-
Конфигурация и полярностьP
-
Максимальное напряжение сток-исток-100 В
-
Ток стока номинальный при 25°C40 А
-
Сопротивление открытого канала (мин)60 мОм
-
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), min60 мОм
-
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), max60 мОм
-
Диапазон номинальных напряжений затвора, min10 В
-
Диапазон номинальных напряжений затвора, max10 В
-
Максимальное напряжение затвора20 В
-
Заряд затвора120 нКл
-
Рассеиваемая мощность200 Вт
-
ПримечаниеHEXFET Power MOSFETs Discrete P-Channel