IRF6604 / Infineon
Не поставляется
Добавить к сравнению
MOSFET
Transistor Type MOSFET
Transistor Polarity N Channel
Drain Source Voltage, Vds 30V
Continuous Drain Current, Id 12.5A
On Resistance, Rds(on) 11.5mohm
Rds(on) Test Voltage, Vgs 7V
Package/Case DirectFET MQ
Корпус DIRECTFETMQ , Конфигурация и полярность N , Максимальное напряжение сток-исток 30 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 15 А, Сопротивление открытого канала (мин) 11.5 мОм, Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), min 11.5 мОм, Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), max 13 мОм, Диапазон номинальных напряжений затвора, min 4.5 В, Диапазон номинальных напряжений затвора, max 10 В, Максимальное напряжение затвора 12 В, Заряд затвора 20 нКл, Рассеиваемая мощность 42 Вт, Примечание HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel
Характеристики
-
КорпусDIRECTFETMQ
-
Конфигурация и полярностьN
-
Максимальное напряжение сток-исток30 В
-
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса15 А
-
Сопротивление открытого канала (мин)11.5 мОм
-
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), min11.5 мОм
-
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), max13 мОм
-
Диапазон номинальных напряжений затвора, min4.5 В
-
Диапазон номинальных напряжений затвора, max10 В
-
Максимальное напряжение затвора12 В
-
Заряд затвора20 нКл
-
Рассеиваемая мощность42 Вт
-
ПримечаниеHEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel