IRF6607TR1 / Infineon
Не поставляется
Добавить к сравнению
MOSFET, N, DIRECTFET, MT
Transistor Type MOSFET
Transistor Polarity N
Voltage, Vds Typ 30V
Current, Id Cont 95A
Resistance, Rds On 4.4mohm
Voltage, Vgs Rds on Measurement 10V
Voltage, Vgs th Typ 2V
Case Style MT
Termination Type SMD
Current, Idm Pulse 220A
External Depth 6.35mm
External Length / Height 0.7mm
IC Package (Case style) MT
No. of Pins 7
Power Dissipation 2.3W
Power, Pd 3.6W
Resistance, Rds on Max 4.4mohm
SMD Marking 6607
Temperature, Current 25°C
Temperature, Full Power Rating 25°C
Temperature, Tj Max 150°C
Temperature, Tj Min -40°C
Time, trr Typ 46ns
Transistors, No. of 1
Typ Capacitance Ciss 6930pF
Typ Charge Qrr @ Tj = 25°C 54nC
Voltage, Vds 30V
Voltage, Vds Max 30V
Voltage, Vgs Max 12V
Voltage, Vgs th Max 2V
Voltage, Vgs th Min 1.3V
Width, External 5.05mm
Корпус DIRECTFETMT , Конфигурация и полярность N , Максимальное напряжение сток-исток 30 В, Ток стока номинальный при 25°C 27 А, Сопротивление открытого канала (мин) 3.3 мОм, Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), min 3.3 мОм, Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), max 4.4 мОм, Диапазон номинальных напряжений затвора, min 10 В, Диапазон номинальных напряжений затвора, max 10 В, Заряд затвора 75 нКл, Рассеиваемая мощность 3.6 Вт, Примечание HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel , Ёмкость затвора 6 930 пФ
Предлагаем замену
Характеристики
-
КорпусDIRECTFETMT
-
Конфигурация и полярностьN
-
Максимальное напряжение сток-исток30 В
-
Ток стока номинальный при 25°C27 А
-
Сопротивление открытого канала (мин)3.3 мОм
-
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), min3.3 мОм
-
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), max4.4 мОм
-
Диапазон номинальных напряжений затвора, min10 В
-
Диапазон номинальных напряжений затвора, max10 В
-
Заряд затвора75 нКл
-
Рассеиваемая мощность3.6 Вт
-
ПримечаниеHEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel
-
Ёмкость затвора6 930 пФ