IRF7103QPBF / Infineon
Не поставляется
Добавить к сравнению
MOSFET, NN SO-8; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:Dual N; Voltage, Vds Typ:50V; Current, Id Cont:3A; Resistance, Rds On:130mohm; Voltage, Vgs Rds on Measurement:10V; Voltage, Vgs th Typ:3V; Case Style:SOIC; Termination Type:SMD; Current, Idm Pulse:25A; Power, Pd:2.4W; Voltage, Vds:50V; Voltage, Vds Max:50V
Корпус —, Конфигурация и полярность N , Максимальное напряжение сток-исток 50 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 3 А, Сопротивление открытого канала (мин) 130 мОм, Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), min 130 мОм, Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), max 130 мОм, Рассеиваемая мощность 2.4 Вт, Примечание Small Signal Field-Effect Transistor, 3A I(D), 50V, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MS-012AA
Предлагаем замену
Характеристики
-
Корпус—
-
Конфигурация и полярностьN
-
Максимальное напряжение сток-исток50 В
-
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса3 А
-
Сопротивление открытого канала (мин)130 мОм
-
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), min130 мОм
-
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), max130 мОм
-
Рассеиваемая мощность2.4 Вт
-
ПримечаниеSmall Signal Field-Effect Transistor, 3A I(D), 50V, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MS-012AA