IRF7104PBF / Infineon
Не поставляется
Добавить к сравнению
MOSFET, DUAL, PP, LOGIC, SO-8; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:PP; Voltage, Vds Typ:-20V; Current, Id Cont:2.3A; Resistance, Rds On:0.025ohm; Voltage, Vgs Rds on Measurement:-10V; Voltage, Vgs th Typ:-3V; Case Style:SOIC; Termination Type:SMD; Current, Idm Pulse:10A; Depth, External:5.2mm; Length / Height, External:1.75mm; Marking, SMD:IRF7104PBF; Pin Format:1 S1; 2 G1; 3 S2; 4 G2; 5 D2; 6 D2; 7 D1; 8 D1; Pitch, Row:6.3mm; Power Dissipation:2.0W; Power, Pd:2W; Temperature, Current:25°C; Temperature, Full Power Rating:25°C; Transistors, No. of:2; Voltage, Vds Max:20V; Width, External:4.05mm
Корпус SOIC8 , Конфигурация и полярность DUAL P , Максимальное напряжение сток-исток 20 В, Ток стока номинальный при 25°C 2.3 А, Сопротивление открытого канала (мин) 250 мОм, Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), min 250 мОм, Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), max 400 мОм, Диапазон номинальных напряжений затвора, min 4.5 В, Диапазон номинальных напряжений затвора, max 10 В, Максимальное напряжение затвора 12 В, Заряд затвора 9.3 нКл, Рассеиваемая мощность 2 Вт
Предлагаем замену
Характеристики
-
КорпусSOIC8
-
Конфигурация и полярностьDUAL P
-
Максимальное напряжение сток-исток20 В
-
Ток стока номинальный при 25°C2.3 А
-
Сопротивление открытого канала (мин)250 мОм
-
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), min250 мОм
-
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), max400 мОм
-
Диапазон номинальных напряжений затвора, min4.5 В
-
Диапазон номинальных напряжений затвора, max10 В
-
Максимальное напряжение затвора12 В
-
Заряд затвора9.3 нКл
-
Рассеиваемая мощность2 Вт