IRF7205TR / Infineon
Не поставляется
Добавить к сравнению
Корпус —, Тип проводимости и конфигурация P-CHANNEL , Рассеиваемая мощность 2.5 Вт, Примечание Power Field-Effect Transistor, 4.6A I(D), 30V, 0.07ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
Предлагаем замену
Характеристики
-
Корпус—
-
Тип проводимости и конфигурацияP-CHANNEL
-
Рассеиваемая мощность2.5 Вт
-
ПримечаниеPower Field-Effect Transistor, 4.6A I(D), 30V, 0.07ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET