IRF7210PBF / Infineon
Не поставляется
Добавить к сравнению
MOSFET, N, 14V, SO-8
Transistor Type MOSFET
Transistor Polarity N
Voltage, Vds Typ 12V
Current, Id Cont 16A
Resistance, Rds On 0.007ohm
Voltage, Vgs Rds on Measurement 4.5V
Voltage, Vgs th Typ 0.6V
Case Style SOIC
Termination Type SMD
Current, Idm Pulse 100A
Power, Pd 2.5W
Voltage, Rds Measurement 4.5V
Voltage, Vds 14V
Voltage, Vds Max 14V
Корпус SOIC8 , Конфигурация и полярность P , Максимальное напряжение сток-исток -12 В, Ток стока номинальный при 25°C 16 А, Сопротивление открытого канала (мин) 7 мОм, Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), min 7 мОм, Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), max 10 мОм, Диапазон номинальных напряжений затвора, min 4.5 В, Диапазон номинальных напряжений затвора, max 4.5 В, Заряд затвора 212 нКл, Рассеиваемая мощность 2.5 Вт, Примечание HEXFET Power MOSFETs Discrete P-Channel , Ёмкость затвора 0.017179 мкФ
Предлагаем замену
Характеристики
-
КорпусSOIC8
-
Конфигурация и полярностьP
-
Максимальное напряжение сток-исток-12 В
-
Ток стока номинальный при 25°C16 А
-
Сопротивление открытого канала (мин)7 мОм
-
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), min7 мОм
-
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), max10 мОм
-
Диапазон номинальных напряжений затвора, min4.5 В
-
Диапазон номинальных напряжений затвора, max4.5 В
-
Заряд затвора212 нКл
-
Рассеиваемая мощность2.5 Вт
-
ПримечаниеHEXFET Power MOSFETs Discrete P-Channel
-
Ёмкость затвора0.017179 мкФ