IRF7240TRPBF / Infineon
Не поставляется
Добавить к сравнению
MOSFET, P, SO-8; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:P; Voltage, Vds Typ:-40V; Current, Id Cont:-10.5A; Resistance, Rds On:0.015ohm; Voltage, Vgs Rds on Measurement:-10V; Voltage, Vgs th Typ:-3V; Case Style:SOIC; Termination Type:SMD
Корпус SOIC8 , Конфигурация и полярность P , Максимальное напряжение сток-исток -40 В, Ток стока номинальный при 25°C 10.5 А, Сопротивление открытого канала (мин) 15 мОм, Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), min 15 мОм, Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), max 25 мОм, Диапазон номинальных напряжений затвора, min 4.5 В, Диапазон номинальных напряжений затвора, max 10 В, Максимальное напряжение затвора 20 В, Заряд затвора 110 нКл, Рассеиваемая мощность 2.5 Вт, Примечание HEXFET Power MOSFETs Discrete P-Channel , Ёмкость затвора 9 250 пФ
Предлагаем замену
Характеристики
-
КорпусSOIC8
-
Конфигурация и полярностьP
-
Максимальное напряжение сток-исток-40 В
-
Ток стока номинальный при 25°C10.5 А
-
Сопротивление открытого канала (мин)15 мОм
-
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), min15 мОм
-
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), max25 мОм
-
Диапазон номинальных напряжений затвора, min4.5 В
-
Диапазон номинальных напряжений затвора, max10 В
-
Максимальное напряжение затвора20 В
-
Заряд затвора110 нКл
-
Рассеиваемая мощность2.5 Вт
-
ПримечаниеHEXFET Power MOSFETs Discrete P-Channel
-
Ёмкость затвора9 250 пФ