IRF7306PBF / Infineon
Не поставляется
Добавить к сравнению
MOSFET, DUAL, PP, LOGIC, SO-8
Transistor Type MOSFET
Transistor Polarity Dual P
Voltage, Vds Typ -30V
Current, Id Cont 3A
Resistance, Rds On 0.1ohm
Voltage, Vgs Rds on Measurement -10V
Voltage, Vgs th Typ -1V
Case Style SOIC
Termination Type SMD
Current, Idm Pulse 12A
External Depth 5.2mm
External Length / Height 1.75mm
No. of Pins 8
Pin Configuration c
Pin Format 1 S1
2 G1
3 S2
4 G2
5 D2
6 D2
7 D1
8 D1
Pitch, Row 6.3mm
Power Dissipation 1.4W
Power, Pd 1.4W
SMD Marking F7306
Temperature, Current 25°C
Temperature, Full Power Rating 25°C
Temperature, Tj Max 150°C
Temperature, Tj Min -55°C
Transistors, No. of 2
Voltage, Vds Max 30V
Width, External 4.05mm
Корпус SOIC8 , Конфигурация и полярность DUAL P , Максимальное напряжение сток-исток 30 В, Ток стока номинальный при 25°C 3.6 А, Сопротивление открытого канала (мин) 100 мОм, Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), min 100 мОм, Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), max 160 мОм, Диапазон номинальных напряжений затвора, min 4.5 В, Диапазон номинальных напряжений затвора, max 10 В, Максимальное напряжение затвора 20 В, Заряд затвора 16.7 нКл, Рассеиваемая мощность 2 Вт
Характеристики
-
КорпусSOIC8
-
Конфигурация и полярностьDUAL P
-
Максимальное напряжение сток-исток30 В
-
Ток стока номинальный при 25°C3.6 А
-
Сопротивление открытого канала (мин)100 мОм
-
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), min100 мОм
-
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), max160 мОм
-
Диапазон номинальных напряжений затвора, min4.5 В
-
Диапазон номинальных напряжений затвора, max10 В
-
Максимальное напряжение затвора20 В
-
Заряд затвора16.7 нКл
-
Рассеиваемая мощность2 Вт