IRF7328PBF / Infineon
Не поставляется
Добавить к сравнению
MOSFET, DUAL, PP, LOGIC, SO-8
Transistor Type MOSFET
Transistor Polarity PP
Voltage, Vds Typ -30V
Current, Id Cont 8A
Resistance, Rds On 0.017ohm
Voltage, Vgs Rds on Measurement -10V
Voltage, Vgs th Typ -2.5V
Case Style SOIC
Termination Type SMD
Current, Idm Pulse 32A
External Depth 5.2mm
External Length / Height 1.75mm
No. of Pins 8
Pitch, Row 6.3mm
Power Dissipation 2W
Power, Pd 2W
SMD Marking IRF7328PBF
Temperature, Current 25°C
Temperature, Full Power Rating 25°C
Transistors, No. of 2
Voltage, Vds Max 30V
Width, External 4.05mm
Корпус SOIC8 , Конфигурация и полярность DUAL P , Максимальное напряжение сток-исток 30 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 8 А, Сопротивление открытого канала (мин) 21 мОм, Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), min 21 мОм, Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), max 32 мОм, Диапазон номинальных напряжений затвора, min 4.5 В, Диапазон номинальных напряжений затвора, max 10 В, Максимальное напряжение затвора 20 В, Заряд затвора 52 нКл, Рассеиваемая мощность 2 Вт
Предлагаем замену
_500.jpeg)
Характеристики
-
КорпусSOIC8
-
Конфигурация и полярностьDUAL P
-
Максимальное напряжение сток-исток30 В
-
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса8 А
-
Сопротивление открытого канала (мин)21 мОм
-
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), min21 мОм
-
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), max32 мОм
-
Диапазон номинальных напряжений затвора, min4.5 В
-
Диапазон номинальных напряжений затвора, max10 В
-
Максимальное напряжение затвора20 В
-
Заряд затвора52 нКл
-
Рассеиваемая мощность2 Вт