IRF7341TRPBF / Infineon
Не поставляется
Добавить к сравнению
Корпус SOIC8 , Конфигурация и полярность DUAL N , Максимальное напряжение сток-исток 55 В, Ток стока номинальный при 25°C 4.7 А, Сопротивление открытого канала (мин) 43 мОм, Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), min 50 мОм, Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), max 50 мОм, Диапазон номинальных напряжений затвора, min 4.5 В, Диапазон номинальных напряжений затвора, max 10 В, Максимальное напряжение затвора 20 В, Заряд затвора 24 нКл, Рассеиваемая мощность 2 Вт, Примечание Power Field-Effect Transistor, 5.1A I(D), 55V, 0.05ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MS-012AA , Ёмкость затвора 740 пФ
Характеристики
-
КорпусSOIC8
-
Конфигурация и полярностьDUAL N
-
Максимальное напряжение сток-исток55 В
-
Ток стока номинальный при 25°C4.7 А
-
Сопротивление открытого канала (мин)43 мОм
-
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), min50 мОм
-
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), max50 мОм
-
Диапазон номинальных напряжений затвора, min4.5 В
-
Диапазон номинальных напряжений затвора, max10 В
-
Максимальное напряжение затвора20 В
-
Заряд затвора24 нКл
-
Рассеиваемая мощность2 Вт
-
ПримечаниеPower Field-Effect Transistor, 5.1A I(D), 55V, 0.05ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MS-012AA
-
Ёмкость затвора740 пФ