MOSFET, DUAL NP LOGIC SO-8; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N/P; Current, Id Cont:4.7A; Resistance, Rds On:0.05ohm; Case Style:SOIC; Termination Type:SMD; Current, Id Cont N Channel 2:4.7A; Current, Id Cont P Channel:3.4A; Current, Idm Pulse:38A; Current, Idm Pulse N Channel 2:38A; Current, Idm Pulse P Channel:27A; Marking, SMD:F7343; Pins, No. of:8; Power Dissipation:2W; Power, Pd:2W; Resistance, Rds on N Channel Max:0.05ohm; Resistance, Rds on P Channel Max:0.105ohm; Temperature, Current:25°C; Temperature, Full Power Rating:25°C; Transistors, No. of:2; Voltage, Vds:2V; Voltage, Vds Max:55V; Voltage, Vds N Channel 1:55V; Voltage, Vds P Channel 1:55V
Корпус SO8150127 , Конфигурация и полярность N+P , Максимальное напряжение сток-исток 55 В, Ток стока номинальный при 25°C 4.7 А, Сопротивление открытого канала (мин) 95 мОм, Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), max 105 мОм, Диапазон номинальных напряжений затвора, min 4.5 В, Диапазон номинальных напряжений затвора, max 10 В, Максимальное напряжение затвора 20 В, Заряд затвора 26 нКл, Рассеиваемая мощность 2 Вт, Ёмкость затвора 740 пФ