IRF7389TR / Infineon
Не поставляется
Добавить к сравнению
Корпус SOIC8 , Тип проводимости и конфигурация N-CHANNEL AND P-CHANNEL , Рассеиваемая мощность 2.5 Вт, Примечание Power Field-Effect Transistor, 7.3A I(D), 30V, 0.029ohm, 2-Element, N-Channel and P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MS-012AA
Предлагаем замену
_500.jpeg)
Характеристики
-
КорпусSOIC8
-
Тип проводимости и конфигурацияN-CHANNEL AND P-CHANNEL
-
Рассеиваемая мощность2.5 Вт
-
ПримечаниеPower Field-Effect Transistor, 7.3A I(D), 30V, 0.029ohm, 2-Element, N-Channel and P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MS-012AA