IRF7495PBF / Infineon
Не поставляется
Добавить к сравнению
MOSFET, N, SO-8
Transistor Type MOSFET
Transistor Polarity N
Voltage, Vds Typ 100V
Current, Id Cont 7.3A
Resistance, Rds On 0.022ohm
Voltage, Vgs Rds on Measurement 10V
Voltage, Vgs th Typ 4V
Case Style SOIC
Termination Type SMD
Current, Idm Pulse 58A
Pin Configuration (1+2+3)S,4G, (8+7+6+5)D
Power, Pd 2.5W
Time, Fall 36ns
Time, Rise 13ns
Transistors, No. of 1
Voltage, Vds Max 100V
Voltage, Vgs Max 20V
Корпус SOIC8 , Конфигурация и полярность N , Максимальное напряжение сток-исток 100 В, Ток стока номинальный при 25°C 7.3 А, Сопротивление открытого канала (мин) 22 мОм, Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), min 22 мОм, Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), max 22 мОм, Диапазон номинальных напряжений затвора, min 10 В, Диапазон номинальных напряжений затвора, max 10 В, Максимальное напряжение затвора 20 В, Заряд затвора 51 нКл, Рассеиваемая мощность 2.5 Вт, Примечание HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel , Ёмкость затвора 1 530 пФ
Предлагаем замену
Характеристики
-
КорпусSOIC8
-
Конфигурация и полярностьN
-
Максимальное напряжение сток-исток100 В
-
Ток стока номинальный при 25°C7.3 А
-
Сопротивление открытого канала (мин)22 мОм
-
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), min22 мОм
-
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), max22 мОм
-
Диапазон номинальных напряжений затвора, min10 В
-
Диапазон номинальных напряжений затвора, max10 В
-
Максимальное напряжение затвора20 В
-
Заряд затвора51 нКл
-
Рассеиваемая мощность2.5 Вт
-
ПримечаниеHEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel
-
Ёмкость затвора1 530 пФ