IRF7523D1 / Infineon
Не поставляется
Добавить к сравнению
Корпус TSSOP8 , Конфигурация и полярность N , Максимальное напряжение сток-исток 30 В, Ток стока номинальный при 25°C 2.7 А, Сопротивление открытого канала (мин) 130 мОм, Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), min 130 мОм, Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), max 190 мОм, Диапазон номинальных напряжений затвора, min 10 В, Диапазон номинальных напряжений затвора, max 10 В, Заряд затвора 12 нКл, Рассеиваемая мощность 1.25 Вт, Примечание N-Channel HEXFET Power MOSFET and Schottky Diode , Ёмкость затвора 210 пФ, Особенности Schottky Diode (Isolated)
Характеристики
-
КорпусTSSOP8
-
Конфигурация и полярностьN
-
Максимальное напряжение сток-исток30 В
-
Ток стока номинальный при 25°C2.7 А
-
Сопротивление открытого канала (мин)130 мОм
-
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), min130 мОм
-
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), max190 мОм
-
Диапазон номинальных напряжений затвора, min10 В
-
Диапазон номинальных напряжений затвора, max10 В
-
Заряд затвора12 нКл
-
Рассеиваемая мощность1.25 Вт
-
ПримечаниеN-Channel HEXFET Power MOSFET and Schottky Diode
-
Ёмкость затвора210 пФ
-
ОсобенностиSchottky Diode (Isolated)