IRF7832PBF / Infineon
Не поставляется
Добавить к сравнению
MOSFET, N, LOGIC, SO-8
Transistor Type MOSFET
Transistor Polarity N
Voltage, Vds Typ 30V
Current, Id Cont 20A
Resistance, Rds On 0.004ohm
Voltage, Vgs Rds on Measurement 10V
Voltage, Vgs th Typ 2.32V
Case Style SOIC
Termination Type SMD
Current, Idm Pulse 160A
External Depth 5.2mm
External Length / Height 1.75mm
Pin Format 1 S
2 S
3 S
4 G
5 D
6 D
7 D
8 D
Pitch, Row 6.3mm
Power Dissipation 2.5W
Power, Pd 2.5W
SMD Marking IRF7832PBF
Temperature, Current 25°C
Temperature, Full Power Rating 25°C
Transistors, No. of 1
Voltage, Vds Max 30V
Width, External 4.05mm
Корпус SOIC8 , Конфигурация и полярность N , Максимальное напряжение сток-исток 30 В, Ток стока номинальный при 25°C 20 А, Сопротивление открытого канала (мин) 4 мОм, Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), min 4 мОм, Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), max 4.8 мОм, Диапазон номинальных напряжений затвора, min 4.5 В, Диапазон номинальных напряжений затвора, max 10 В, Максимальное напряжение затвора 20 В, Заряд затвора 51 нКл, Рассеиваемая мощность 2.5 Вт, Примечание HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel , Ёмкость затвора 4 310 пФ
Предлагаем замену
Характеристики
-
КорпусSOIC8
-
Конфигурация и полярностьN
-
Максимальное напряжение сток-исток30 В
-
Ток стока номинальный при 25°C20 А
-
Сопротивление открытого канала (мин)4 мОм
-
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), min4 мОм
-
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), max4.8 мОм
-
Диапазон номинальных напряжений затвора, min4.5 В
-
Диапазон номинальных напряжений затвора, max10 В
-
Максимальное напряжение затвора20 В
-
Заряд затвора51 нКл
-
Рассеиваемая мощность2.5 Вт
-
ПримечаниеHEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel
-
Ёмкость затвора4 310 пФ