IRF7842PBF / Infineon
Не поставляется
Добавить к сравнению
MOSFET, N, 40V, SO-8
Transistor Type MOSFET
Transistor Polarity N
Voltage, Vds Typ 40V
Current, Id Cont 18A
Resistance, Rds On 0.005ohm
Voltage, Vgs Rds on Measurement 10V
Voltage, Vgs th Typ 2.25V
Case Style SOIC
Termination Type SMD
Base Number 7842
Current, Idm Pulse 140A
No. of Pins 8
Power Dissipation 140mW
Power, Pd 2.5W
Voltage, Vds Max 40V
Output Current Max 2.5A
Корпус SOIC8 , Конфигурация и полярность N , Максимальное напряжение сток-исток 40 В, Ток стока номинальный при 25°C 18 А, Сопротивление открытого канала (мин) 5 мОм, Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), min 5 мОм, Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), max 5.9 мОм, Диапазон номинальных напряжений затвора, min 4.5 В, Диапазон номинальных напряжений затвора, max 10 В, Максимальное напряжение затвора 20 В, Заряд затвора 50 нКл, Рассеиваемая мощность 2.5 Вт, Примечание HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel , Ёмкость затвора 4 500 пФ
Характеристики
-
КорпусSOIC8
-
Конфигурация и полярностьN
-
Максимальное напряжение сток-исток40 В
-
Ток стока номинальный при 25°C18 А
-
Сопротивление открытого канала (мин)5 мОм
-
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), min5 мОм
-
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), max5.9 мОм
-
Диапазон номинальных напряжений затвора, min4.5 В
-
Диапазон номинальных напряжений затвора, max10 В
-
Максимальное напряжение затвора20 В
-
Заряд затвора50 нКл
-
Рассеиваемая мощность2.5 Вт
-
ПримечаниеHEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel
-
Ёмкость затвора4 500 пФ