IRF8010 / Infineon
Не поставляется
Добавить к сравнению
MOSFET: N, 100 В, Q1: N, 15mΩ / 10V, 80 А
Корпус TO220 , Конфигурация и полярность N , Максимальное напряжение сток-исток 100 В, Ток стока номинальный при 25°C 80 А, Сопротивление открытого канала (мин) 15 мОм, Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), min 15 мОм, Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), max 15 мОм, Диапазон номинальных напряжений затвора, min 10 В, Диапазон номинальных напряжений затвора, max 10 В, Максимальное напряжение затвора 20 В, Заряд затвора 81 нКл, Рассеиваемая мощность 260 Вт, Примечание HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel
Предлагаем замену
Характеристики
-
КорпусTO220
-
Конфигурация и полярностьN
-
Максимальное напряжение сток-исток100 В
-
Ток стока номинальный при 25°C80 А
-
Сопротивление открытого канала (мин)15 мОм
-
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), min15 мОм
-
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), max15 мОм
-
Диапазон номинальных напряжений затвора, min10 В
-
Диапазон номинальных напряжений затвора, max10 В
-
Максимальное напряжение затвора20 В
-
Заряд затвора81 нКл
-
Рассеиваемая мощность260 Вт
-
ПримечаниеHEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel