IRF8313TRPBF / Infineon
Не поставляется
Добавить к сравнению
Корпус SOIC8 , Конфигурация и полярность DUAL N , Максимальное напряжение сток-исток 30 В, Ток стока номинальный при 25°C 9.7 А, Сопротивление открытого канала (мин) 12.5 мОм, Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), min 15.5 мОм, Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), max 15.5 мОм, Диапазон номинальных напряжений затвора, min 4.5 В, Диапазон номинальных напряжений затвора, max 10 В, Максимальное напряжение затвора 20 В, Заряд затвора 6 нКл, Рассеиваемая мощность 2 Вт, Примечание Power Field-Effect Transistor, 9.7A I(D), 30V, 0.0155ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MS-012AA , Ёмкость затвора 760 пФ
Предлагаем замену
Характеристики
-
КорпусSOIC8
-
Конфигурация и полярностьDUAL N
-
Максимальное напряжение сток-исток30 В
-
Ток стока номинальный при 25°C9.7 А
-
Сопротивление открытого канала (мин)12.5 мОм
-
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), min15.5 мОм
-
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), max15.5 мОм
-
Диапазон номинальных напряжений затвора, min4.5 В
-
Диапазон номинальных напряжений затвора, max10 В
-
Максимальное напряжение затвора20 В
-
Заряд затвора6 нКл
-
Рассеиваемая мощность2 Вт
-
ПримечаниеPower Field-Effect Transistor, 9.7A I(D), 30V, 0.0155ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MS-012AA
-
Ёмкость затвора760 пФ