IRF9540NPBF / Infineon
Не поставляется
Добавить к сравнению
MOSFET, P, -100V, -23A, TO-220
Transistor Type MOSFET
Transistor Polarity P
Voltage, Vds Typ -100V
Current, Id Cont 19A
Resistance, Rds On 0.117ohm
Voltage, Vgs Rds on Measurement -10V
Voltage, Vgs th Typ -4V
Case Style TO-220AB
Termination Type Through Hole
Current, Idm Pulse 76A
Device Marking IRF9540N
Lead Spacing 2.54mm
No. of Pins 3
Pin Configuration a
Pin Format 1 g
2 d/tab
3 s
Power Dissipation 94W
Power, Pd 94W
Resistance, Rds on Max 0.117ohm
Temperature, Current 25°C
Temperature, Full Power Rating 25°C
Thermal Resistance, Junction to Case A 1.1°C/W
Transistors, No. of 1
Voltage, Vds 100V
Voltage, Vds Max 100V
Voltage, Vgs th Max -4V
Корпус TO220AB , Конфигурация и полярность P , Максимальное напряжение сток-исток -100 В, Ток стока номинальный при 25°C 23 А, Сопротивление открытого канала (мин) 117 мОм, Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), min 117 мОм, Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), max 117 мОм, Диапазон номинальных напряжений затвора, min 10 В, Диапазон номинальных напряжений затвора, max 10 В, Максимальное напряжение затвора 20 В, Заряд затвора 97 нКл, Рассеиваемая мощность 140 Вт, Примечание HEXFET Power MOSFETs Discrete P-Channel , Ёмкость затвора 1 300 пФ
Предлагаем замену
Характеристики
-
КорпусTO220AB
-
Конфигурация и полярностьP
-
Максимальное напряжение сток-исток-100 В
-
Ток стока номинальный при 25°C23 А
-
Сопротивление открытого канала (мин)117 мОм
-
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), min117 мОм
-
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), max117 мОм
-
Диапазон номинальных напряжений затвора, min10 В
-
Диапазон номинальных напряжений затвора, max10 В
-
Максимальное напряжение затвора20 В
-
Заряд затвора97 нКл
-
Рассеиваемая мощность140 Вт
-
ПримечаниеHEXFET Power MOSFETs Discrete P-Channel
-
Ёмкость затвора1 300 пФ